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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor - ENG

Fabrication, Modeling And Applications
$1,980.00
Disponible
ISBN: 9788132216353
Formato: ePub
Idioma: Inglés
Editorial: Springer Nature
Tema: Tecnología e ingeniería
Subtema: Nanotecnología y Sistemas Microelectromecánicos (MEMS)
Año de publicación: 2013-11-20

The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated.

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